Con su velocidad de escritura tres veces mayor, permite almacenar vídeos 8K sin buffering.

La compañía Samsung Electronics ha empezado a producir en masa la primera unidad flash eUFS 3.1 (embedded Universal Flash Storage) de 512 GB de la industria, para su uso en smartphones de alta gama. Al ofrecer tres veces la velocidad de escritura de la memoria móvil anterior eUFS 3.0 de 512 GB, la nueva eUFS 3.1 rompe con el umbral de rendimiento de 1 GB/s en el almacenamiento de smartphones.

Con una velocidad de escritura secuencial de más de 1.200 MB/s, la nueva memoria presenta más del doble de velocidad que un ordenador basado en Sata (540 MB/s) y más de diez veces la velocidad de una tarjeta MicroSD UHS-I (90 MB/s). Esto significa que los usuarios podrán disfrutar en sus smartphones la velocidad de un ordenador portátil ultradelgado al almacenar archivos masivos como vídeos de 8K o cientos de fotos de gran tamaño, sin buffering. Además la transferencia de contenido de un teléfono antiguo a un nuevo dispositivo también será más rápida: los teléfonos con el nuevo eUFS 3.1 sólo tardarán 1,5 minutos en mover 100 GB de datos, frente a los más de 4 minutos que requieren los teléfonos basados en UFS 3.0. En términos de rendimiento, el sistema eUFS 3.1 de 512 GB procesa hasta un 60% más rápido que la versión anterior UFS 3.0.

Junto con la opción de 512 GB, Samsung también lanzará versiones de 256 GB y 128 GB para los smartphones que se lanzarán a finales de año.


  
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